Der Schaltzustand von auf Festkörperoberflächen deponierten photoschaltbaren Molekülen soll eindeutig identifiziert und lichtinduzierte molekulare Schalt- und Ausrichtungsprozesse sollen nachgewiesen und kontrolliert werden. Änderungen in den geometrischen und elektronischen Eigenschaften sollen mit direkter und inverser Valenzband-Photoelektronenspektroskopie in Kombination mit Röntgen-Nahkanten-Absorptionsspektroskopie an unter wohldefinierten Ultrahochvakuum-Bedingungen präparierten Molekül-Submonolagen-Schichten gemessen werden.